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powered by   2024/07/01 更新
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関東 に該当する転職・求人一覧

勤務地 栃木県下野市下坪山1724(栃木事業所) JR宇都宮線「小金井」駅より車で9分(駅よりシャトルバス有) 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所
年収 年収:650万~1500万程度 月給制:月額464300円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:2回 昇給:1回
業務内容 【職務概要】 同社のフォトニクス/化合物デバイス設計エンジニアとして光通信へ向けたフォトニクスデバイスの製品化実現を加速するための業務を行っていただきます。 【職務詳細】 ■化合物半導体による高速受光器の開発 FDTDやBPMを...
求める経験 【必須】下記のいずれかを有し、海外のジャーナル論文などから知見を獲得し業務に反映できる事が必須となります。 ・半導体物性・波動光学の知見 ・半導体デバイス・光導波路の設計/評価経験 ・光導波路や半導体デバイスのシミュレーション経験 ...
勤務地 神奈川県鎌倉市上町屋325 各線「大船」駅より車で6分 勤務地変更の範囲:業務の性質等に応じリモートワークを認める場合は、リモートワークを行う場所(自宅等)を含む。
年収 年収:450万~900万程度 月給制:月額260000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回(6月、12月) 昇給:年1回(4月)
業務内容 【職務概要】 防衛/宇宙用レーダ向け高周波回路の開発/設計業務や、量産機種の設計管理をお任せします。 【職務詳細】 ■新製品の企画から設計、製作、試験までの一連の開発に関わる業務 ■量産機種の設計に関わる業務(リピート出図、部品...
求める経験 【必須】 ・高周波に関する一般知識 ・回路設計の経験や、ものづくりの業務経験 【尚可】 ・ネットワークアナライザ等の計測器を使用した経験 ・英語によるコミュニケーション能力(TOEIC 500点以上) ■採用背景:防衛力...

【神奈川】電源開発(排ガス処理装置)

カンケンテクノ株式会社 閲覧済み
勤務地 神奈川県横浜市鶴見区小野町75番地1 JR鶴見線「鶴見小野」駅より徒歩6分 勤務地変更の範囲:勤務地からの変更はなし
年収 年収:450万~750万程度 月給制:月額320000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:有
業務内容 【職務概要】 同社にて、以下業務をお任せします。 【職務詳細】 ■製品:排ガス処理装置 【具体的には】 同社製品の排ガス処理装置に関する電源開発をお任せします。 ・同社除害装置用の電源開発 ・直流大容量電源 ・高周波...
求める経験 【必須】 ・自動車運転免許をお持ちの方 ・アナログ回路設計の経験がある方 ・基本的なPCスキル(Excel、Word、PowerPoint) ・電源に関わる業務経験をお持ちの方(開発・設計・修理など) 【尚可】 ・無線の電源...
勤務地 茨城県 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所
年収 年収:400万~550万程度 月給制:月額280000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回
業務内容 【職務概要】 生産技術職(次世代半導体基板加工技術開発)担当として下記業務を担当します。 【職務詳細】 ・基板加工プロセスの歩留まり・生産性改善 ・基板加工装置の改善・改造 ■魅力 ・同社の主な製品は自動車用配管ですが、...
求める経験 【必須】下記いずれかを満たす方 ・プロセス改善 ・設備設計【歓迎要件】 ・次世代半導体基板(GaN基板、SiC基板など)や化合物半導体基板の結晶加工、結晶評価、結晶成長に関する技術開発経験 【尚可】 ・英語力(TOEIC600...
勤務地 茨城県 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所
年収 年収:400万~600万程度 月給制:月額280000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回
業務内容 【職務概要】 研究開発職として次世代半導体基板加工技術開発を担当します。 【職務詳細】 ・次世代半導体基板(GaN基板、SiC基板など)の新規基板加工技術開発 ・次世代半導体基板の加工品質評価・分析 ・開発技術の特許出願 ・...
求める経験 【必須】 ・物理、化学、機械のいずれかに関する知識 ・材料分析、精密加工、材料工学のいずれかに関する知識 【尚可】 ・次世代半導体基板(GaN基板、SiC基板など)や化合物半導体基板の結晶加工、結晶評価、結晶成長に関する技術開発...
勤務地 千葉県船橋市鈴身町488-19 各線「北習志野」駅より車で20分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所
年収 年収:900万~1500万程度 月給制:月額750000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年1回以上 昇給:業績に応じて年1回以上
業務内容 【職務概要】 1、パワーデバイスパッケージ関連のプロセス開発、検証、量産導入を担当する 2、製品開発から量産信頼性検証までを担当し、製造現場での品質改善を指導する 3、研究開発と連携し、プロセスと実験設計などの仕事を設定し、新しい技術...
求める経験 ■求める経験: 1、電力電子類、材料類、機械類などの関連専攻 2、IGBT、化合物半導体パワーデバイスの動作原理及び信頼性試験に精通する。 3.IGBT、化合物半導体などのパワーデバイス業界の現状と発展動向を理解する。 ...
勤務地 千葉県船橋市鈴身町488-19 各線「北習志野」駅より車で20分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所
年収 年収:900万~1500万程度 年俸制:月額750000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年1回以上 昇給:業績に応じて年1回以上
業務内容 【職務概要】 1、化合物半導体パワーモジュールプロセス及び設備技術を担当し、プロセス技術指標を制定する 2、プロジェクトの前期プロセスルート及び設備に関する作業を担当する 3、各工程のワークフローを制定し、設備の操作規範と工程をテキス...
求める経験 【必須】 1、学士以上、機械、材料、電子および関連する理工系の専攻 2、半導体パワーモジュールのプロセス/設備に関する5年以上の経験があり、新規プロジェクトの経験がある
勤務地 千葉県船橋市鈴身町488-19 各線「北習志野」駅より車で20分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所
年収 年収:900万~1500万程度 年俸制:月額750000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年1回以上 昇給:業績に応じて年1回以上
業務内容 【職務概要】 1、化合物半導体パワーデバイスプロセス開発及びプロジェクト推進関連業務を担当する 2、パワーデバイスチップ製造プロセスの開発を主導し、現場でプロセス調整を行い、装置エンジニアと協力してトラブルを分析し、プロセスに存在する可...
求める経験 【必須】 ■求める経験 1、学士以上、半導体物理学、マイクロエレクトロニクス、材料、化学関連の専攻。 2、パワー半導体デバイスのプロセスフロー、製造プロセス及び関連するプロセス原理に精通する。 ...
勤務地 神奈川県横須賀市夏島町1京浜急行線「追浜」駅より徒歩20分
年収 年収:400万~1000万程度 月給制:月額254000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回(7月、12月) 昇給:あり
業務内容 【職務概要】 拡大する電動車市場に向けた、将来の車載用バッテリーセルの材料研究、電池開発、性能設計および車載化に向けたパック・モジュール・BMSの研究開発を行っています。 【職務詳細】 全固体電池に関して以下いずれかをご担当いただ...
求める経験 【必須】 ・リチウムイオン電池または全固体電池の研究開発の経験 ・電池材料の専門性(無機化合物、有機化合物、金属化合物) ・電池分野の専門性(電気化学、機械工学、電気工学、制御工学) ・車載またはパワーツール向けリチウムイオン電池の...

【神奈川】機械設計(製薬機械)

日揮ホールディングス株式会社 閲覧済み
勤務地 神奈川県横浜市西区みなとみらい2-3-1みなとみらい線「みなとみらい」駅から徒歩4分 JR京浜東北線/横浜市営地下鉄「桜木町」駅から徒歩10分
年収 年収:600万~1200万程度 月給制:月額300000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回(7月、12月) 昇給:年1回(7月)
業務内容 【職務概要】 製薬・製剤機械の設計業務をお任せいたします。 【職務詳細】 ■製品:製薬・製剤機械 ■開発:CAD 【具体的には】 海外医薬品工場プロジェクトに設置される製薬・製剤機械のエンジニアリング業務に携わっていただ...
求める経験 【必須】 ・医薬品工場プロジェクトなどにおける製薬・製剤機械の基本設計、実施設計の経験をお持ちの方 ・ビジネスレベルの英語力(目安としてTOEIC600以上)

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